चिनियाँ
射频

उत्पादनहरू

पिन समाक्षीय स्विच

PIN समाक्षीय अवशोषण र रिफ्लेक्टिव 50 ohm स्विच, 10MHz-50Ghz कभर गर्नुहोस् र 120db उच्च अलगाव प्रदान गर्नुहोस्, 10ns भन्दा कम उच्च-गति स्विचिङ।


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

नेता-mw स्विचको परिचय

प्रस्तुत गर्दै लीडर माइक्रोवेभ टेक।,(LEADER-MW) PIN कोएक्सियल अवशोषक र रिफ्लेक्टिव 50 ओम स्विच, उच्च फ्रिक्वेन्सी सिग्नल राउटिङ र नियन्त्रणको लागि अत्याधुनिक समाधान। यो अभिनव स्विचले उच्च प्रदर्शन र बहुमुखी प्रतिभा प्रदान गर्दछ, यसलाई दूरसंचार, एयरोस्पेस, रक्षा र अनुसन्धान उद्योगहरूमा अनुप्रयोगहरूको विस्तृत दायराको लागि आदर्श बनाउँछ।

आधुनिक RF र माइक्रोवेभ प्रणालीहरूको आवश्यकताहरू पूरा गर्न डिजाइन गरिएको, PIN समाक्षीय अवशोषण र प्रतिबिम्बित 50 ohm स्विचहरू अवशोषण र प्रतिबिम्बित मोडहरू बीच निर्बाध रूपमा स्विच गर्दछ, प्रयोगकर्ताहरूलाई विभिन्न संकेत मार्ग आवश्यकताहरू अनुकूल गर्न लचिलोपन दिन्छ। इष्टतम सिग्नल अखण्डता र न्यूनतम सिग्नल हानि सुनिश्चित गर्न स्विचमा 50 ओम प्रतिबाधा छ, यसलाई उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त बनाउँदै जहाँ शुद्धता र विश्वसनीयता महत्वपूर्ण हुन्छ।

स्विचको कम्प्याक्ट र असभ्य समाक्षीय डिजाइनले अवस्थित प्रणालीहरूमा सजिलो एकीकरणको लागि अनुमति दिन्छ, जबकि यसको उच्च-गति स्विचिङ क्षमताहरूले छिटो प्रतिक्रिया समय सक्षम पार्छ, सिमलेस सिग्नल रूटिङ र नियन्त्रण सुनिश्चित गर्दछ। परीक्षण र मापन सेटअपहरू, सञ्चार प्रणालीहरू, वा रडार अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग भए तापनि, यो स्विचले असाधारण प्रदर्शन र विश्वसनीयता प्रदान गर्दछ, यसलाई इन्जिनियरहरू र अनुसन्धानकर्ताहरूको लागि बहुमूल्य सम्पत्ति बनाउँछ।

 

नेता-mw विशिष्टता

SP1T स्विच विशिष्टता

आवृत्ति दायरा GHz परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) VSWR(अधिकतम) अलगाव dB(मिनेट) स्विच गति एनएस (अधिकतम) पावर W (अधिकतम)
०.०२-०.५ ०.२ ०.३ १.३ 80 २०० 1
०.५-२ ०.४ ०.५ १.३ 80 १०० 1
०.०२-३ 2 २.२ १.५ 80 २०० 1
१-२ ०.५ ०.६ १.३ 80 १०० 1
२-८ ०.८ 1 १.३ 80 १०० 1
८-१२ १.२ १.५ १.४ 80 १०० 1
१२-१८ १.६ २.६ १.५ 80 १०० 1
२-१८ 2 २.८ १.८ 60 १०० 1
१८-२६.५ २.४ ३.२ १.८ 60 १०० 2
२६.५-४० 3 4 2 30 १०० ०.२
40-50 ३.५ ४.५ 2 30 १०० ०.२

SP4T स्विच विशिष्टता

आवृत्ति दायरा GHz परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) VSWR(अधिकतम) अलगाव dB(मिनेट) स्विच गति एनएस (अधिकतम) पावर W (अधिकतम)
०.०२-०.५ ०.३ ०.४ १.३ 80 २०० 1
०.५-२ ०.५ ०.६ १.३ 80 १०० 1
०.०२-३ २.२ २.४ १.५ 80 २०० 1
१-२ ०.६ ०.७ १.३ 80 १०० 1
२-८ 1 १.२ १.३ 80 १०० 1
८-१२ १.५ १.८ १.४ 80 १०० 1
१२-१८ १.८ २.७ १.५ 80 १०० 1
२-१८ २.२ २.८ १.८ 60 १०० 1
१८-२६.५ २.६ ३.५ १.८ 60 १०० 2
२६.५-४० ३.२ ४.२ 2 30 १०० ०.२
40-50 ३.६ ४.८ 2 30 १०० ०.२
आवृत्ति दायरा GHz परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) VSWR(अधिकतम) अलगाव dB(मिनेट) स्विच गति एनएस (अधिकतम) पावर W (अधिकतम)
०.०२-०.५ ०.३ ०.५ १.३ 80 २०० 1
०.५-२ ०.६ ०.७ १.३ 80 १०० 1
०.०२-३ २.३ २.५ १.५ 80 २०० 1
१-२ ०.७ ०.८ १.३ 80 १०० 1
२-८ १.१ १.५ १.३ 80 १०० 1
८-१२ १.६ 2 १.४ 80 १०० 1
१२-१८ १.९ २.९ १.५ 80 १०० 1
२-१८ २.४ 3 १.८ 60 १०० 1
१८-२६.५ २.८ ३.६ १.८ 60 १०० 2
२६.५-४० ३.५ ४.३ 2 30 १०० ०.२
40-50 ३.८ ४.९ 2 30 १०० ०.२

SP8T स्विच विशिष्टता

आवृत्ति दायरा GHz परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) VSWR(अधिकतम) अलगाव dB(मिनेट) स्विच गति एनएस (अधिकतम) पावर W (अधिकतम)
०.०२-०.५ ०.४ ०.५ १.३ 80 २०० 1
०.५-२ ०.८ ०.८ १.३ 80 १०० 1
०.०२-३ २.५ २.७ १.५ 80 २०० 1
१-२ ०.८ 1 १.३ 80 १०० 1
२-८ १.५ १.८ १.३ 80 १०० 1
८-१२ २.५ 3 १.४ 80 १०० 1
१२-१८ ५.२ ५.५ १.५ 80 १०० 1
२-१८ ५.५ 6 १.८ 60 १०० 1
१८-२६.५ 6 ६.५ १.८ 60 १०० 2
२६.५-४० 6 ६.५ 2 30 १०० ०.२
40-50 ६.२ ६.७ 2 30 १०० ०.२

 

नेता-mw बाहिर निकाल्ने

सबै आयामहरू mm मा
सबै कनेक्टरहरू: SMA-F
सहिष्णुता: ± ०.३ मिमी

स्विच 1
स्विच २
स्विच 3
स्विच ४

  • अघिल्लो:
  • अर्को: