नेता-mw | स्विचको परिचय |
प्रस्तुत गर्दै लीडर माइक्रोवेभ टेक।,(LEADER-MW) PIN कोएक्सियल अवशोषक र रिफ्लेक्टिव 50 ओम स्विच, उच्च फ्रिक्वेन्सी सिग्नल राउटिङ र नियन्त्रणको लागि अत्याधुनिक समाधान। यो अभिनव स्विचले उच्च प्रदर्शन र बहुमुखी प्रतिभा प्रदान गर्दछ, यसलाई दूरसंचार, एयरोस्पेस, रक्षा र अनुसन्धान उद्योगहरूमा अनुप्रयोगहरूको विस्तृत दायराको लागि आदर्श बनाउँछ।
आधुनिक RF र माइक्रोवेभ प्रणालीहरूको आवश्यकताहरू पूरा गर्न डिजाइन गरिएको, PIN समाक्षीय अवशोषण र प्रतिबिम्बित 50 ohm स्विचहरू अवशोषण र प्रतिबिम्बित मोडहरू बीच निर्बाध रूपमा स्विच गर्दछ, प्रयोगकर्ताहरूलाई विभिन्न संकेत मार्ग आवश्यकताहरू अनुकूल गर्न लचिलोपन दिन्छ। इष्टतम सिग्नल अखण्डता र न्यूनतम सिग्नल हानि सुनिश्चित गर्न स्विचमा 50 ओम प्रतिबाधा छ, यसलाई उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगहरूको लागि उपयुक्त बनाउँदै जहाँ शुद्धता र विश्वसनीयता महत्वपूर्ण हुन्छ।
स्विचको कम्प्याक्ट र असभ्य समाक्षीय डिजाइनले अवस्थित प्रणालीहरूमा सजिलो एकीकरणको लागि अनुमति दिन्छ, जबकि यसको उच्च-गति स्विचिङ क्षमताहरूले छिटो प्रतिक्रिया समय सक्षम पार्छ, सिमलेस सिग्नल रूटिङ र नियन्त्रण सुनिश्चित गर्दछ। परीक्षण र मापन सेटअपहरू, सञ्चार प्रणालीहरू, वा रडार अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग भए तापनि, यो स्विचले असाधारण प्रदर्शन र विश्वसनीयता प्रदान गर्दछ, यसलाई इन्जिनियरहरू र अनुसन्धानकर्ताहरूको लागि बहुमूल्य सम्पत्ति बनाउँछ।
नेता-mw | विशिष्टता |
SP1T स्विच विशिष्टता
आवृत्ति दायरा GHz | परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) | अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) | VSWR(अधिकतम) | अलगाव dB(मिनेट) | स्विच गति एनएस (अधिकतम) | पावर W (अधिकतम) |
०.०२-०.५ | ०.२ | ०.३ | १.३ | 80 | २०० | 1 |
०.५-२ | ०.४ | ०.५ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
०.०२-३ | 2 | २.२ | १.५ | 80 | २०० | 1 |
१-२ | ०.५ | ०.६ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
२-८ | ०.८ | 1 | १.३ | 80 | १०० | 1 |
८-१२ | १.२ | १.५ | १.४ | 80 | १०० | 1 |
१२-१८ | १.६ | २.६ | १.५ | 80 | १०० | 1 |
२-१८ | 2 | २.८ | १.८ | 60 | १०० | 1 |
१८-२६.५ | २.४ | ३.२ | १.८ | 60 | १०० | 2 |
२६.५-४० | 3 | 4 | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
40-50 | ३.५ | ४.५ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
SP4T स्विच विशिष्टता
आवृत्ति दायरा GHz | परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) | अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) | VSWR(अधिकतम) | अलगाव dB(मिनेट) | स्विच गति एनएस (अधिकतम) | पावर W (अधिकतम) |
०.०२-०.५ | ०.३ | ०.४ | १.३ | 80 | २०० | 1 |
०.५-२ | ०.५ | ०.६ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
०.०२-३ | २.२ | २.४ | १.५ | 80 | २०० | 1 |
१-२ | ०.६ | ०.७ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
२-८ | 1 | १.२ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
८-१२ | १.५ | १.८ | १.४ | 80 | १०० | 1 |
१२-१८ | १.८ | २.७ | १.५ | 80 | १०० | 1 |
२-१८ | २.२ | २.८ | १.८ | 60 | १०० | 1 |
१८-२६.५ | २.६ | ३.५ | १.८ | 60 | १०० | 2 |
२६.५-४० | ३.२ | ४.२ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
40-50 | ३.६ | ४.८ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
आवृत्ति दायरा GHz | परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) | अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) | VSWR(अधिकतम) | अलगाव dB(मिनेट) | स्विच गति एनएस (अधिकतम) | पावर W (अधिकतम) |
०.०२-०.५ | ०.३ | ०.५ | १.३ | 80 | २०० | 1 |
०.५-२ | ०.६ | ०.७ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
०.०२-३ | २.३ | २.५ | १.५ | 80 | २०० | 1 |
१-२ | ०.७ | ०.८ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
२-८ | १.१ | १.५ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
८-१२ | १.६ | 2 | १.४ | 80 | १०० | 1 |
१२-१८ | १.९ | २.९ | १.५ | 80 | १०० | 1 |
२-१८ | २.४ | 3 | १.८ | 60 | १०० | 1 |
१८-२६.५ | २.८ | ३.६ | १.८ | 60 | १०० | 2 |
२६.५-४० | ३.५ | ४.३ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
40-50 | ३.८ | ४.९ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
SP8T स्विच विशिष्टता
आवृत्ति दायरा GHz | परावर्तक सम्मिलन हानि dB(अधिकतम) | अवशोषण सम्मिलित हानि dB (अधिकतम) | VSWR(अधिकतम) | अलगाव dB(मिनेट) | स्विच गति एनएस (अधिकतम) | पावर W (अधिकतम) |
०.०२-०.५ | ०.४ | ०.५ | १.३ | 80 | २०० | 1 |
०.५-२ | ०.८ | ०.८ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
०.०२-३ | २.५ | २.७ | १.५ | 80 | २०० | 1 |
१-२ | ०.८ | 1 | १.३ | 80 | १०० | 1 |
२-८ | १.५ | १.८ | १.३ | 80 | १०० | 1 |
८-१२ | २.५ | 3 | १.४ | 80 | १०० | 1 |
१२-१८ | ५.२ | ५.५ | १.५ | 80 | १०० | 1 |
२-१८ | ५.५ | 6 | १.८ | 60 | १०० | 1 |
१८-२६.५ | 6 | ६.५ | १.८ | 60 | १०० | 2 |
२६.५-४० | 6 | ६.५ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
40-50 | ६.२ | ६.७ | 2 | 30 | १०० | ०.२ |
नेता-mw | बाहिर निकाल्ने |
सबै आयामहरू mm मा
सबै कनेक्टरहरू: SMA-F
सहिष्णुता: ± ०.३ मिमी